40N60 MOSFET Transistörü: Teknik Özellikler ve Uygulamalar
40N60, N-kanallı bir güç MOSFET transistörüdür. 600 V’luk bir drenaj-kaynak gerilimine (VDS) ve 40 A’lık bir sürekli drenaj akımına (ID) sahiptir. Bu, onu yüksek güç uygulamaları için ideal hale getirir. 40N60 ayrıca düşük bir açma direncine (RDS(on)) ve hızlı bir anahtarlama hızına sahiptir. Bu, onu güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalar için uygun hale getirir.
40N60 MOSFET Transistörünün Teknik Özellikleri
- Drenaj-kaynak gerilimi (VDS): 600 V
- Sürekli drenaj akımı (ID): 40 A
- Açma direnci (RDS(on)): 0,25 Ω
- Kapasite:
- Giriş kapasitesi (Ciss): 1500 pF
- Çıkış kapasitesi (Coss): 500 pF
- Ters kapasite (Crss): 200 pF
- Anahtarlama hızı: 50 ns
- Paket: TO-220
40N60 MOSFET Transistörünün Uygulamaları
- Güç dönüştürücüleri
- Motor sürücüleri
- Anahtarlama güç kaynakları
- Yüksek güç amplifikatörleri
- Röle sürücüleri
- Solenoid sürücüleri
40N60 MOSFET Transistörünün Faydalı Siteleri ve İlgili Dosyaları
- 40N60 MOSFET Transistörünün Ürün Sayfası: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/40n60-d.pdf
- 40N60 MOSFET Transistörünün Uygulama Notu: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN-9073-D.PDF
- 40N60 MOSFET Transistörünün CAD Modeli: https://www.onsemi.com/en/design-support/cad-models
Sonuç
40N60 MOSFET transistörü, yüksek güç uygulamaları için ideal olan bir N-kanallı güç MOSFET transistörüdür. 600 V’luk bir drenaj-kaynak gerilimine (VDS) ve 40 A’lık bir sürekli drenaj akımına (ID) sahiptir. Ayrıca düşük bir açma direncine (RDS(on)) ve hızlı bir anahtarlama hızına sahiptir. Bu, onu güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalar için uygun hale getirir.