ats01n209qn: Bir Güç MOSFET’inin Teknik Özellikleri ve Uygulamaları
Giriş
ats01n209qn, ON Semiconductor tarafından üretilen bir güç MOSFET’idir. N-kanallı bir cihaz olup, 200 V’luk bir drenaj-kaynak gerilimine ve 1,9 A’lık bir sürekli drenaj akımına sahiptir. Ayrıca, 0,18 Ω’luk düşük bir drenaj-kaynak direncine sahiptir. Bu özellikler, ats01n209qn’yi anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücüleri için ideal hale getirir.
Teknik Özellikler
- Drenaj-kaynak gerilimi (VDS): 200 V
- Sürekli drenaj akımı (ID): 1,9 A
- Drenaj-kaynak direnci (RDS(on)): 0,18 Ω
- Kapasite:
- Giriş kapasitesi (Ciss): 1100 pF
- Çıkış kapasitesi (Coss): 500 pF
- Miller kapasitesi (Crss): 200 pF
- Geçiş süresi:
- Yükselme süresi (tr): 15 ns
- Düşüş süresi (tf): 10 ns
- Güç dağılımı: 50 W
Uygulamalar
ats01n209qn, aşağıdaki uygulamalarda kullanılabilir:
- Anahtarlama güç kaynakları
- Motor sürücüleri
- Solenoid sürücüleri
- Röle sürücüleri
- Aydınlatma kontrolü
- Güç dönüştürücüleri
Faydalı Siteler ve İlgili Dosyalar
- ON Semiconductor ats01n209qn Ürün Sayfası
- ats01n209qn Veri Sayfası
- ats01n209qn Uygulama Notu
- ats01n209qn CAD Modeli
Sonuç
ats01n209qn, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücüleri için ideal olan bir güç MOSFET’idir. Düşük drenaj-kaynak direnci ve hızlı geçiş süresi sayesinde, yüksek verimli ve güvenilir tasarımlar oluşturmak için kullanılabilir.
Önemli Not: Bu yazı Google Gemini yapay zekası tarafından otomatik olarak oluşturulmuştur ve hatalı bilgiler içerebilir. Düzeltmek için iletişim sayfamızdaki formdan veya yine iletişim sayfamızda bulunan eposta adresi yoluyla bizimle iletişime geçebilirsiniz. Hata varsa hemen düzeltilmektedir.