Ats01N209Qn Pdf

ats01n209qn: Bir Güç MOSFET’inin Teknik Özellikleri ve Uygulamaları

Giriş

ats01n209qn, ON Semiconductor tarafından üretilen bir güç MOSFET’idir. N-kanallı bir cihaz olup, 200 V’luk bir drenaj-kaynak gerilimine ve 1,9 A’lık bir sürekli drenaj akımına sahiptir. Ayrıca, 0,18 Ω’luk düşük bir drenaj-kaynak direncine sahiptir. Bu özellikler, ats01n209qn’yi anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücüleri için ideal hale getirir.

Teknik Özellikler

  • Drenaj-kaynak gerilimi (VDS): 200 V
  • Sürekli drenaj akımı (ID): 1,9 A
  • Drenaj-kaynak direnci (RDS(on)): 0,18 Ω
  • Kapasite:
    • Giriş kapasitesi (Ciss): 1100 pF
    • Çıkış kapasitesi (Coss): 500 pF
    • Miller kapasitesi (Crss): 200 pF
  • Geçiş süresi:
    • Yükselme süresi (tr): 15 ns
    • Düşüş süresi (tf): 10 ns
  • Güç dağılımı: 50 W

Uygulamalar

ats01n209qn, aşağıdaki uygulamalarda kullanılabilir:

  • Anahtarlama güç kaynakları
  • Motor sürücüleri
  • Solenoid sürücüleri
  • Röle sürücüleri
  • Aydınlatma kontrolü
  • Güç dönüştürücüleri

Faydalı Siteler ve İlgili Dosyalar

Sonuç

ats01n209qn, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücüleri için ideal olan bir güç MOSFET’idir. Düşük drenaj-kaynak direnci ve hızlı geçiş süresi sayesinde, yüksek verimli ve güvenilir tasarımlar oluşturmak için kullanılabilir.


Yayımlandı

kategorisi